1. Meilenstein der Branche: High-NA EUV geht in die Massenproduktion
Am 15. Juli 2026 war Intel Foundry der erste Hersteller, der Logikchips in großen Stückzahlen auslieferte, die mit der High-NA EUV-Technologie von ASML auf seinem 18A-Prozessknoten hergestellt wurden. Da sich High-NA-Systeme von der Forschung und Entwicklung zur Massenfertigung verlagern, werden an Fotomaskensubstrate aus synthetischem Quarz deutlich höhere Leistungsanforderungen gestellt. Bei Sub-2-nm-Knoten bestimmen die Materialeigenschaften des Maskenrohlings direkt die Strukturierungsgenauigkeit, die Overlay-Präzision und die endgültige Waferausbeute.
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Kirchhoff-artige und strenge 3D-Maskenmodellierung: EUV
2. Strengere Anforderungen an Maskensubstrate mit hoher NA
Im Vergleich zu Standard-EUV-Geräten mit 0,33 NA liefern High-NA-Systeme eine um etwa 70 % höhere Auflösung und stellen gleichzeitig weitaus strengere Anforderungen an Maskenrohlinge:
• Extrem niedriger CTE: Eine höhere EUV-Energiedichte verstärkt die thermische Belastung. Eine Wärmeausdehnung nahe Null ist entscheidend, um Musterverschiebungen und Überlagerungsfehler zu vermeiden.
• Oberflächenpräzision auf atomarer Ebene: Extreme Ebenheit und optische Homogenität sind erforderlich, um kritische Maßabweichungen und Bildverschlechterungen zu verhindern.
• Nahezu null interne Fehler: Einschlüsse oder Blasen im Submikrometerbereich übertragen sich als fatale Fehler direkt auf die Wafer und machen eine Null-Fehler-Qualität zwingend erforderlich.
3. High-NA-fähige 6,6-Zoll-Fotomasken-Quarzsubstrate
Nantong Jingcai Precision bietet 6,6-Zoll-Fotomaskensubstrate aus synthetischem Quarz, die für High-NA-Spezifikationen gebaut sind:
• Hochreine synthetische Quarzglasbasis, extrem niedriger CTE, >99 % Durchlässigkeit über DUV/EUV-Bänder
• Vollflächige Ebenheit innerhalb von 1 μm, mit strenger Kontrolle der Oberflächenrauheit und der inneren Spannung
• Die mehrstufige Inspektion minimiert interne Blasen und Einschlüsse für eine zuverlässige Musterübertragung
• SEMI-konform, vollständig kompatibel mit gängigen Maskenscannern weltweit
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Mit integrierten vorgelagerten Lieferketten unterstützen wir auch kundenspezifische Spezifikationen für Forschung und Entwicklung sowie Pilotlinien. Für technische Beratung oder Musterbewertung wenden Sie sich an unser Auslandsteam: javier.lu@ztt.cn
1. Meilenstein der Branche: High-NA EUV geht in die Massenproduktion
Am 15. Juli 2026 war Intel Foundry der erste Hersteller, der Logikchips in großen Stückzahlen auslieferte, die mit der High-NA EUV-Technologie von ASML auf seinem 18A-Prozessknoten hergestellt wurden. Da sich High-NA-Systeme von der Forschung und Entwicklung zur Massenfertigung verlagern, werden an Fotomaskensubstrate aus synthetischem Quarz deutlich höhere Leistungsanforderungen gestellt. Bei Sub-2-nm-Knoten bestimmen die Materialeigenschaften des Maskenrohlings direkt die Strukturierungsgenauigkeit, die Overlay-Präzision und die endgültige Waferausbeute.
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Kirchhoff-artige und strenge 3D-Maskenmodellierung: EUV
2. Strengere Anforderungen an Maskensubstrate mit hoher NA
Im Vergleich zu Standard-EUV-Geräten mit 0,33 NA liefern High-NA-Systeme eine um etwa 70 % höhere Auflösung und stellen gleichzeitig weitaus strengere Anforderungen an Maskenrohlinge:
• Extrem niedriger CTE: Eine höhere EUV-Energiedichte verstärkt die thermische Belastung. Eine Wärmeausdehnung nahe Null ist entscheidend, um Musterverschiebungen und Überlagerungsfehler zu vermeiden.
• Oberflächenpräzision auf atomarer Ebene: Extreme Ebenheit und optische Homogenität sind erforderlich, um kritische Maßabweichungen und Bildverschlechterungen zu verhindern.
• Nahezu null interne Fehler: Einschlüsse oder Blasen im Submikrometerbereich übertragen sich als fatale Fehler direkt auf die Wafer und machen eine Null-Fehler-Qualität zwingend erforderlich.
3. High-NA-fähige 6,6-Zoll-Fotomasken-Quarzsubstrate
Nantong Jingcai Precision bietet 6,6-Zoll-Fotomaskensubstrate aus synthetischem Quarz, die für High-NA-Spezifikationen gebaut sind:
• Hochreine synthetische Quarzglasbasis, extrem niedriger CTE, >99 % Durchlässigkeit über DUV/EUV-Bänder
• Vollflächige Ebenheit innerhalb von 1 μm, mit strenger Kontrolle der Oberflächenrauheit und der inneren Spannung
• Die mehrstufige Inspektion minimiert interne Blasen und Einschlüsse für eine zuverlässige Musterübertragung
• SEMI-konform, vollständig kompatibel mit gängigen Maskenscannern weltweit
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