В производстве полупроводников кольца травления (чаще называемые кольцами фокусировки или краевыми кольцами) представляют собой расходные компоненты, окружающие кремниевую пластину внутри камеры плазменного травления. Их основная задача — физическая защита электростатического патрона (ESC) и электрическая обработка плазменной оболочки для обеспечения равномерного травления вплоть до самого края пластины.
Поскольку они подвергаются непосредственному воздействию агрессивной высокоэнергетической плазмы, они должны быть изготовлены из материалов высокой чистоты, устойчивых к химической коррозии и физическому распылению. К наиболее распространенным используемым материалам относятся:
1. Кварц высокой чистоты (SiO₂).
Исторически наиболее распространенный материал, кварц сверхвысокой чистоты (кремнезем 99,99%+), широко используется на фабриках благодаря своим чистым свойствам и экономической эффективности.
2. Карбид кремния (SiC).
Карбид кремния, специально производимый методом химического осаждения из паровой фазы (CVD SiC) или высококачественного спекания, быстро стал основным выбором для современных мощных узлов.
3. Монокристаллический (монокристаллический) или поликристаллический кремний (Si).
Использование кремния высокой чистоты гарантирует, что кольцо фокусировки будет вести себя точно так же, как продолжение самой пластины.
4. Передовая керамика и покрытия
Для нишевых или высококоррозионных сред используется специализированная керамика: Оксид алюминия (AI₂O₃): обеспечивает высокую механическую прочность и хорошие диэлектрические характеристики, хотя при сильной бомбардировке может выделять частицы. Оксид иттрия (Y₂O₃ / Yttria): часто используется в качестве высокоплазмостойкого покрытия на керамических или металлических кольцевых основаниях для борьбы с агрессивной галогенной плазмой. Нитрид кремния (Si₃N₄): Выбран с учетом особых требований к термостойкости и механической жесткости.
Обзор выбора материалов
![]()
В производстве полупроводников кольца травления (чаще называемые кольцами фокусировки или краевыми кольцами) представляют собой расходные компоненты, окружающие кремниевую пластину внутри камеры плазменного травления. Их основная задача — физическая защита электростатического патрона (ESC) и электрическая обработка плазменной оболочки для обеспечения равномерного травления вплоть до самого края пластины.
Поскольку они подвергаются непосредственному воздействию агрессивной высокоэнергетической плазмы, они должны быть изготовлены из материалов высокой чистоты, устойчивых к химической коррозии и физическому распылению. К наиболее распространенным используемым материалам относятся:
1. Кварц высокой чистоты (SiO₂).
Исторически наиболее распространенный материал, кварц сверхвысокой чистоты (кремнезем 99,99%+), широко используется на фабриках благодаря своим чистым свойствам и экономической эффективности.
2. Карбид кремния (SiC).
Карбид кремния, специально производимый методом химического осаждения из паровой фазы (CVD SiC) или высококачественного спекания, быстро стал основным выбором для современных мощных узлов.
3. Монокристаллический (монокристаллический) или поликристаллический кремний (Si).
Использование кремния высокой чистоты гарантирует, что кольцо фокусировки будет вести себя точно так же, как продолжение самой пластины.
4. Передовая керамика и покрытия
Для нишевых или высококоррозионных сред используется специализированная керамика: Оксид алюминия (AI₂O₃): обеспечивает высокую механическую прочность и хорошие диэлектрические характеристики, хотя при сильной бомбардировке может выделять частицы. Оксид иттрия (Y₂O₃ / Yttria): часто используется в качестве высокоплазмостойкого покрытия на керамических или металлических кольцевых основаниях для борьбы с агрессивной галогенной плазмой. Нитрид кремния (Si₃N₄): Выбран с учетом особых требований к термостойкости и механической жесткости.
Обзор выбора материалов
![]()